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晶圆减薄晶圆抛光晶圆背抛 Wafer Grinding

发布者：haoweijingmi 发布时间：2021-07-27 09:16:24 访问次数：409

晶圆减薄作用:

1.通过减薄/研磨的方式对晶片衬底进行减薄，改善芯片散热效果。

2.减薄到一定厚度有利于后期封装工艺。

常规工艺:

减薄/抛光到80-100um

粗糙度: 5-20nm

平整度: ±3um

来源：深圳市天力士机械有限公司

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