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扩散炉应用行业

扩散炉应用：应用于集成电路、分立器件、光电子器件、电力电子器件、太阳能电池、半导体器件的扩散、氧化退火、烧结等工艺，也可做为磁性材料的烧结工艺，还可适用于机械行业的淬火、冶金业稀土的烧结工艺。
扩散炉特点：
　　1主机为水平一至四管炉系统构架，独立完成不同的工艺或相同工艺
　　2工业计算机控制系统，对炉温、进退舟、气体流量、闸门等动作进行自动控制
　　3采用悬臂送片器：操作方便、无摩擦污染等
　　4关键部件均采用进口，确保设备的高可靠性
　　5工艺管路采用进口阀门管件组成气密性好、耐腐蚀、无污染（管路均采用EP级电抛光管路），流量控制采用质量流量计（MFC）进口
　　6控温精度高，温区控温稳定性好；
　　7具有断电报警、超温报警、极限超温报警等多种安全保护功能

扩散炉主要技术指标
　　1、工艺说明
　　1.1氧化：干氧工艺，湿氧工艺（去离子水、氢氧合成-内/外点火）
　　1.2扩散：硼扩、磷扩（液态源、固态源等）
　　1.3合金、退火等工艺
　　2、系统组成：主机（加热体、石英/SiC管、功率组件等）、自动送片（悬臂-SiC）净化工作台、气路气源系统（气源柜）、计算机控系统等组成

　　3、控制方式：手动送片/自动送片
　　4、扩散炉配置（可选）：
　　4.1仪表控制/计算机控制
　　4.2工艺管（水平结构）：1-4管
　　4.3工艺规格：2~6英寸晶圆或125mm×125mm、156mm×156mm太阳能电池片（工艺腔体为石英或碳化硅）
　　4.4恒温区长度：1100mm/800mm/600mm/450mm
　　4.5晶圆装载：悬臂式，刚玉/碳化硅杆，碳化硅桨
　　4.6工作台：有净化/无净化
　　4.7工艺气路：对应的工艺气路，气路阀门组件采用国际优质品牌产品（如SWAGELOK、PARK、SANDVIK、CARDINAL等等），MFC国际优质（如MKS、UNIT、STEC等）或国产优质

　　5、扩散炉主要技术参数：
　　5.1工作温度：200〜1300℃
　　5.2加热体控制点：3/5点
　　5.3炉体恒温区：450mm/600mm/800mm/1100mm
　　5.4恒温区精度：＞800℃/±0.5℃，＜800℃/±1℃
　　5.5单点温度稳定性：600〜1300℃/±0.5℃/24h
　　5.6最大可控升温速度：25℃/min
　　5.7最大降温速度：5℃/min（900〜1300℃）
　　5.8供电：三相四线，380VAC/50Hz
　　6、结构尺寸：
　　6.1结构：水平扩散炉/垂直扩散炉

扩散炉选型

1按结构可分为立式和卧式两种。
2推拉舟有斜滚.双杆.悬臂三种形式。
3工作台有简易操作台（无净化、净化）;标准操作台（无净化、净化）。
4按管路的组成及连接形式可从以下两方面来区分：
1.按流量控制器区分：可分为浮子流量计和质量流量控制器。
2.按阀门及连接方式区分：可分为进口电磁阀卡套连接.进口气动阀卡套连接.进口气动阀VCR连接三种形式。
5按工艺类型区分：可分为干氧氧化.湿氧氧化（普通湿氧化和氢氧合成氧化）. 磷扩散.硼扩散和退火（合金）等多种。

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