HSVC区别于传统无功补偿方式（通过开关投切电容器或通过分接开关调节电容器端电压），HSVC属于动态无功补偿产品，它具有最快10ms的响应速度，是目前技术较为成熟的最快的无功补偿方式，由于HSVC以可控硅作为调节执行单元，它还具有可连续无级调节（通过改变可控硅导通角），调节时无涌流、拉弧，无机械开关使用寿命的限制等优点。特别适合一些需要快速补偿的工业场合，如电弧炉、轧机、电力机车等，可以显著提高用户的功率因数（最高可接近1），最大程度的为用户节能降损，同时可降低用户接入电网的公共点的电压波动与闪变，此外，HSVC也可用于输电系统或枢纽变电站，对维持系统母线电压稳定，提高线路输送容量，以及提高输电系统的暂态稳定性都有一定的作用。 HSVC成套装置一般由可调电抗（通过可控硅单元或硅阀调节），FC无源滤波，以及控制和保护系统组成。目前，根据可调电抗器的调节方式及工作原理不同，又可分为TCR型（晶闸管控制的电抗器）、TCT型（晶闸管控制的变压器）、MCR型（磁控电抗器）3种类型。
HSVC技术参数：
1. 额定电压：6、10、35kV
2. 额定容量：6~100Mvar（TCR），≤30 Mvar（TCT），≤30 Mvar（MCR）
3. 响应时间：10ms（TCR），10ms（TCT），300ms（MCR）
4. 晶闸管冷却方式：热管自冷+小风机（TCR），热管自冷+小风机（TCT），自冷（MCR）
5. 晶闸管触发方式：光纤+电磁（TCR），电磁（TCT），光纤（MCR）
6. 控制系统：全数字控制系统
7. 控制方式：电压、无功、功率因数或综合
8. 动态调节方式：开环、闭环结合
9. 调节方式：分相调节，可补偿3相负载不平衡
10. 使用寿命：＞20年
11. 环境参数：满足用户要求
TCR型HSVC工作原理：
HSCV如图接入系统中，电容器提供固定的容性无功Qc，补偿电抗器通过的电流决定了补偿电抗器输出感性无功QTCR 的大小，感性无功和容性无功相抵消，只要能做到系统无功Qn=Qv(系统所需)-Qc+QTCR=常数(或0)，则能实现电网功率因数=常数，电压几乎不波动，关键是准确控制晶闸管的触发角，得到所需的流过补偿电抗器的电流，晶闸管变流装置和控制系统能够实现这个功能，采集母线的无功电流值和电压值，合成无功值，和所设定的恒无功值(可能是0)进行比较，计算得触发角大小，通过晶闸管触发装置使晶闸管流过所需电流。
对于不对称负荷，利用steinmetz理论实现分相调节，消除负序电流,平衡三相电网。
TCT型HSVC工作原理
TCT又名晶闸管控制变压器，它是一种高漏抗变压器，其二次绕组接晶闸管，通过控制导通角就能提供连续变化的无功功率。如下图所示：
当TCT阻抗电压达到100%时，SCR可工作在全短路状态。此时TCT工作在额定容量SN。
当SCR的导通角在90~180°间变化时，TCT的输出容量在0~SN之间连续变化。
MCR型HSVC工作原理
它通过控制晶闸管的导通角，改变铁心的磁饱和度，使MCR输出的无功功率可连续无极调节。
HSVC技术特点
1. 由于HSVC使用可控硅作为主调节器件，调节时无拉弧、涌流，设备使用寿命长。
2. 无功补偿精细。由于可连续调节，实现系统需要多少无功就补多少无功。
3. 配合FC高压无源滤波，将系统谐波水平滤除到符合国标要求。
4. 全数字控制系统，响应速度快，调节精度高。
以上为3中类型HSVC的通用优点，此外，它们还有各自的优缺点：
TCR型
1. 响应速度快，可达10ms
2. 设备容量大，可达几百兆，但不能直接用于特高压。
TCT型
1. 具有与TCR一样的响应速度
2. 通过TCT将电压降到1000～2000V，使可控硅运行在较低电压，不使用高压硅阀，大大简化了系统的复杂程度，提高了系统的可靠性、安全性。且由于可控硅工作电压低，其运行维护也很简单。
3. TCT变压器与电抗于一体，具有过负荷能力强、占地面积小等优势。
4. 可用于特高压。
MCR型
1. MCR型可调电抗器的容量调节不需要大功率晶闸管阀组，占地面积小，结构简单。采用磁控式，使整个HSVC系统可靠性极高，20年免维护。
2. 应用自耦励磁和极限磁饱和先进技术，不仅使所产生的谐波大大减少，而且有功损耗低、响应速度快、无电磁辐射。
3. 可用于特高压。
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