详细介绍: TOREX不断革新电子产品工艺,引领电子元器件的新潮,研发满足一代又一代电子产品的新产品。不仅在外形上满足不断集成度越来越高、器件越来越小的需求,同时在质量和功能上,也越来越满足从多电子厂家的期待。
XP152A12C0MR结构:
它用一块P型硅半导体材料作衬底,在其面上扩散了两个N型区,再在上面覆盖一层二氧化硅(SiQ2)绝缘层,最后在N区上方用腐蚀的方法做成两个孔,用金属化的方法分别在绝缘层上及两个孔内做成三个电极:G(栅极)、S(源极)及D(漏极)
详细介绍:
RoHS:是
类别:分离式半导体产品 >> FET - 单
标准包装:1,000
系列:MESH OVERLAY�6�4
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250�0�8A
闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V
功率 - 最大:40W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3 整包
供应商设备封装:TO-220FP
包装:管件
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