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LD600-12XUI 电力仪表 辖区小学配件对于高压器件（如前面提到的 DEMOS 和 LDMOS），漏极额定值可能远高于栅极额定值（例如，漏极额定值为 20V，而栅极额定值仅为 3.3V）　因此，如图所示的电路将无法工作，因为漏极和栅极基本上具有相同的电压，从而导致栅极可靠性问题（图 5）　

拒绝空间管理挑战，摆脱种种困局，在有限的空间内容纳更多的功能组件，我的妙招就是　这种设计能大程度地减小连接器的占用空间，从而使控制器更小、更紧凑，满足设备小型化设计需求的同时，确保为设备安全高效地传输配电　0156 和 0159 系列产品不仅省空间，更加节省接线时间　


阈值电压VGS(th)遵循器件的物理原理，随着温度的升高而下降，如图1右侧所示　 图1：45 mΩ 1200 V CoolSiC#8482　 MOSFET在室温和175°C下的输出特性(左)以及Ron和VGS(th)对温度的依赖性(右) 图1右侧可见，CoolSiC#8482　


MOSFET越来越多地被用于光伏、快速电动车充电基础设施、储能系统和电机驱动等工业应用　但与此同时，工程师也面临着独特的设计挑战　实现更小的外形尺寸，同时保持功率变换系统的散热性能，是相互矛盾的挑战，但英飞凌创新的.XT技术与SiC技术提供了一个解决方案　

LD600-12XUI 电力仪表 辖区小学配件通常来说，在相同负载情况下，SiC技术比功率MOSFET和IGBT的损耗更低　这意味着该技术可以提高开关和载流效率，这些优势在较高的中间电路电压下大有可为　由于这些特性，SiC半导体特别适用于电池电压和总储能容量更高的电动汽车　由于SiC器件还能够在更高的电压下工作，因此可以实现车载充电解决方案，从而缩短充电时间，并降低总损耗