特性
  8 层硬件堆栈x11bit
  2T 或4T 指令周期
  2Kx14b 程序存储空间（16bytes/page）
  256x8b 数据EEPROM（16bytes/page）
  数据EEPROM 在应用编程
  128x8b SRAM
  1 x 带8 位预分频的定时器0
  1 x 带8 位预分频的定时器2
  带7 位预分频的WDT，溢出频率约为16ms~2048ms
  上电延迟计数器PWRT
  低功耗模式SLEEP
  多个唤醒源，INT、端口变化中断、WDT、数据EEPROM 写完成，等等
  内置高速16M RC 振荡器
  内置低速32K RC 振荡器
  支持外部晶振16M 或32K，以及外部时钟模式
i. 时钟缺失检测
ii. 双速启动模式（晶体或外部时钟模式下）
  内置2 个高速高精度比较器
i. 可编程的片上参考电压
ii. 比较结果可直接输出
  最多16 个通用IO，18 根芯片管脚
  7 个IO 带独立上拉控制
  端口变化中断，RA0~RA7
  支持在系统编程ICSP
  支持在线调试
  程序空间保护
  工作电压范围：1.8V~ 5.5V
  最大时钟工作频率：16MHz
  封装类型：SOP14，SOP18