银茂微IGBT模块型号GT150PI120T6H
银茂微IGBT模块型号GT150PI120T6H
产品价格:(人民币)
  • 规格:GT150PI120T6H
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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电乐驱动式功率半导体器件并兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大MOSFET驱动功率很小,开关速度闪快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

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